報告時間：2023年6月7日（星期三）14:00-16:00
報告地點：學術會議中心一樓大報告廳
報 告 人：陳維邦 博士
工作單位：合肥晶合集成電路股份有限公司
舉辦單位：材料科學與工程學院
報告簡介：
介紹集成電路與產業的相關性，從基本的元件設計與制造到最后的晶片產生，結合目前產業的先進制程發展，讓學生對于所學與業界有更緊密的了解與結合。
報告人簡介：
陳維邦，晶合集成前瞻研發處長，具有先進半導體年資15年，畢業于臺灣交通大學，電子工程專業博士學位。
主要專長：High-K Metal Gate, FinFET, Embedded Flash, Device。目前主要負責開發28納米以下的MOSFET前瞻新技術，如高介電常數材料。（High-K material），多層金屬閘極結構（Metal Gate），新式硅鍺外沿的源/漏極（SiGe Source/Drain），后段銅金屬連接與低介電常數（low-K material）的工藝技術整合。同時也研究電性與制程的關聯性，進一步改善，獲得效能的增加。（Improve DIBL, GIDL, Femi-level pinning, mobility scattering, S/D engineering, BOEL RxC，Speed-IDDQ, Reliability )。同時與不同模組合作開發新制程與解決不同的制程問題，設計出不同客制化的流程，來符合不同客戶對于產品的不同的需求。
研究與榮譽：IEEE IEDM國際會議與IEEE EDL/TED 發表 12篇（一作）; 美國專利獲證 10篇，中國專利授權18篇；榮獲2019中國臺灣優秀工程師獎；2021與2022晶合專利發明第一名。
